[发明专利]堆栈式封装结构及其制造方法

摘要

本发明关于一种堆栈式封装结构及其制造方法，该方法包括以下步骤：覆晶接合数个第一晶粒至一晶圆；进行回焊；形成一第一保护层于这些第一晶粒及该晶圆之间；薄化该晶圆；切割该晶圆以形成数个复合晶粒；形成一第二保护层于一基板；将这些复合晶粒接合至该基板；切割该基板，以形成数个堆栈式封装结构。藉此，可节省时间，而且不会有翘曲的情况发生。

主权项

一种堆栈式封装结构的制造方法，包括：(a)提供一晶圆，该晶圆具有一第一表面及一第二表面；(b)提供数个第一晶粒，每一该第一晶粒包括一第一晶粒本体、数个连通柱及数个凸块，该第一晶粒本体包括一第一表面及一第二表面，这些连通柱突出于该第二表面，这些凸块邻接于该第一表面且电性连接这些连通柱；(c)覆晶接合这些第一晶粒至该晶圆的第一表面，其中这些连通柱电性连接至该晶圆的第一表面；(d)将这些第一晶粒及该晶圆进行回焊；(e)形成一第一保护层于这些第一晶粒及该晶圆的第一表面之间以保护这些连通柱；(f)于步骤(d)之后，从该晶圆的第二表面薄化该晶圆；(g)切割该晶圆以形成数个复合晶粒；(h)提供一基板，该基板具有一第一表面及一第二表面；(i)形成一第二保护层于该基板的第一表面；(j)将这些复合晶粒接合至该基板的第一表面上，其中这些凸块位于该第二保护层内；及(k)切割该基板，以形成数个堆栈式封装结构。