[发明专利]一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法

摘要

本发明提供一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。本发明在锗衬底和金属源、漏之间制作一high-k介质薄层。此薄层一方面可以阻挡金属中的电子波函数在半导体禁带当中引入MIGS界面态，同时还能够对锗界面的悬挂键进行钝化；另一方面，由于绝缘介质层的厚度非常薄，电子基本上可以自由通过，所以不会明显增加源漏的寄生电阻。通过此方法，可以减弱费米能级顶扎效应，使费米能级靠近锗的导带位置，使电子势垒降低，从而改善锗基肖特基晶体管的电流开关比，提高NMOS器件的性能。

主权项

一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法，具体步骤如下：1‑1)  在锗基衬底上制作MOS晶体管结构；1‑2)  源漏区域上淀积一高k介质层，该介质层的光频介电常数ε∞＜4.5以及导带偏移量ΔEC＜2eV；1‑3)  溅射低功函数金属薄膜；1‑4)  形成金属源漏；1‑5)  形成接触孔、金属连线。