[发明专利]非易失性存储器及其读取电路有效
| 申请号： | 201110028254.0 | 申请日： | 2011-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN102044299A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了非易失性存储器及其读取电路，所述读取电路包括用于产生于与位线电流相同的镜像电流的镜像单元以及根据镜像电流读取存储单元数据的数据读取单元，还包括：与所述位线连接的预充电单元以及预放电单元；所述预充电单元以及预放电单元分别将位线的初始电位与目标电位相比较，对位线充电或放电，将位线电位钳位至目标电位。本发明通过在位线上连接预充电单元以及预放电单元，得悬浮的位线电位能够迅速上升或回落至目标电位，避免产生逻辑错误，提高数据读取速度。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 读取 电路 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器的读取电路，包括用于产生于与位线电流相同的镜像电流的镜像单元以及根据镜像电流读取存储单元数据的数据读取单元，其特征在于，还包括：与所述位线连接的预充电单元以及预放电单元；所述预充电单元以及预放电单元分别将位线的初始电位与目标电位相比较，对位线充电或放电，将位线电位钳位至目标电位。
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