[发明专利]晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 201110029642.0 | 申请日： | 2011-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102122669A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 冯雪;唐树澍;吴小利 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶体管及其制作方法，所述晶体管包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面栅极结构；位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的源区和漏区，所述源区和漏区之间的半导体衬底为沟道区；位于所述沟道区下方的半导体衬底内的隔离层，所述隔离层用于防止所述源区和漏区之间的漏电流，所述隔离层的宽度小于所述栅极结构的宽度。本发明减小了晶体管的漏电流，降低了晶体管的功耗，满足了应用的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的源区和漏区，所述源区和漏区之间的半导体衬底为沟道区，其特征在于，还包括：位于所述沟道区下方的半导体衬底内的隔离层，所述隔离层用于防止所述源区和漏区之间的漏电流，所述隔离层的宽度小于所述栅极结构的宽度。
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