[发明专利]硅薄膜/铜铟镓硒双结薄膜电池工艺

摘要

本发明是以硅薄膜为衬底的铜铟镓硒(Cu(In，Ga)Se2简称CIGS)薄膜双结太阳电池，采用多种薄膜沉积技术制备出该双结太阳电池。该双结太阳电池分为上电池和下电池。巧妙的将下电池薄膜化，提高了下电池的性能。能够解决在多晶硅太阳电池生产过程中出现的工艺复杂，能耗高等问题，并且将铜铟镓硒薄膜上电池很好的和下电池结合，解决了CIGS薄膜太阳电池生产过程中出现的稳定性差等问题。最终提高叠层电池的各项性能。该双结薄膜电池具有较低的生产成本，较高的稳定性，很长的使用寿命，以及较高光电转换效率，因此该双结薄膜电池具有比较好的开发和应用价值。

主权项

硅薄膜/铜铟镓硒双结薄膜电池其特征在于：结合了硅薄膜和铜铟镓硒薄膜太阳电池特点，提高双结薄膜电池的光电转换效率。