[发明专利]发光二极管的制法有效
| 申请号： | 201110030383.3 | 申请日： | 2011-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102610708A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 龚正;陈怡宏;刘建政 | 申请（专利权）人： | 鼎元光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/44;C23C22/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 梁爱荣 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种发光二极管的制法，包含：前段制程、制作电极，制作电极后形成半成品、化学成膜步骤以及切割步骤，该化学成膜步骤包括：提供一溶液，该溶液为一碱性且含氧量高的溶液；以及，浸泡，将所述半成品浸泡于该溶液中，使半成品本身与溶液产生反应，而于该半成品的预定处形成一层铝镓砷氧化层。由此，乃能提高发光二极管在高湿度下的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制法，包含前段制程、制作电极以及切割步骤，且制作电极后形成半成品，其特征在于：在该制作电极步骤与切割步骤之间进一步包含一化学成膜步骤，该化学成膜步骤包括：提供一溶液，该溶液为碱性且含氧量高；以及浸泡，将所述半成品浸泡于该溶液中，使半成品本身与溶液产生反应，而于该半成品的预定处形成一层氧化层。
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