[发明专利]一种能够实现多进制加法计算的阻变器件及多进制加法计算的方法有效
申请号: | 201110032218.1 | 申请日: | 2011-01-28 |
公开(公告)号: | CN102623046A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 康晋锋;张飞飞;高滨;陈冰;陈沅沙;刘力锋;刘晓彦;韩汝琦 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | G11C11/56 | 分类号: | G11C11/56;H01L45/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种能够实现多进制加法计算的阻变器件,以及利用阻变器件实现多进制加法计算的方法,所述阻变器件具有从高阻态到低阻态的多个阻值,每个阻值对应于一存储值,通过连续施加具有相同宽度和高度的set脉冲电压使阻变器件的存储值顺序加1,通过施加一reset脉冲电压使阻变器件的存储值置0,同时通过施加一个set脉冲电压使高位阻变器件的存储值加1,由此实现多进制加法计算。通过对阻变器件的操作可以同时实现数据存储和多进制加法运算,从而大大简化了电路结构,便于实现存储和计算的统一应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 能够 实现 多进制 加法 计算 器件 方法 | ||
【主权项】:
一种能够实现多进制加法计算的阻变器件,该阻变器件包括:下电极,由一导电材料层构成;阻变层,由淀积在所述下电极上的金属氧化物层构成,该金属氧化物层中注入有杂质元素;上电极,由淀积在所述金属氧化物层上的导电材料层构成;所述阻变器件具有从高阻态到低阻态的多个阻值,每个阻值对应于一存储值,所述高阻态对应的存储值为0,所述低阻态对应的存储值为该阻变器件的最高存储值;其特征在于:当所述阻变器件的阻值降低到一相邻阻值时,则该阻变器件的存储值加1;当所述阻变器件的阻值降低到所述低阻态时,则该阻变器件的存储值置0,同时高位阻变器件的存储值+1,从而完成一次高位进位+1的运算。
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