[发明专利]一种双极型晶体管的制作方法

摘要

本发明涉及一种与CMOS晶体管制备过程相兼容的双极型晶体管的制作方法，在所述CMOS晶体管制备区中形成栅极多晶硅的过程同时，在所述双极型晶体管制备区中形成发射极，对于双极型晶体管通常需要对非本征基区进行高掺杂以便与电极形成好的欧姆接触，借用CMOS晶体管自对准高掺离子注入实现自对准的非本征基区，并对所述发射极进行掺杂离子注入和推进，从而掺杂离子均匀地推进至所述基极区形成发射结，从而使发射结的厚度更加均匀，同时在刻蚀多晶硅层后借用CMOS多晶硅栅的快速热氧化过程修复刻蚀损伤，从而降低界面效应，降低漏电电流。

主权项

一种双极型晶体管的制作方法，与CMOS晶体管制备过程相兼容，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底包括CMOS晶体管制备区和双极型晶体管制备区；在所述CMOS晶体管制备区和双极型晶体管制备区表面同时淀积形成第一氧化层后，刻蚀去除所述双极型晶体管制备区表面的第一氧化层；在所述CMOS晶体管制备区和双极型晶体管制备区表面同时淀积形成多晶硅层；对所述多晶硅层进行掺杂离子注入；在所述CMOS晶体管制备区刻蚀所述多晶硅层形成栅极多晶硅的同时，在所述双极型晶体管制备区刻蚀所述多晶硅层形成多晶硅发射极；进行快速热氧化，形成第二氧化层，以修复刻蚀过程中对双极型晶体管制备区的损伤；在所述栅极多晶硅两侧和所述多晶硅发射极两侧同步形成氧化物侧墙；在CMOS晶体管制备区和双极型晶体管制备区同时自对准注入高掺杂离子，在所述双极型晶体管制备区中，所述多晶硅发射极两侧的衬底上形成非本征基区；进行快速热退火工艺，将所述多晶硅发射极中的掺杂离子推进，以形成发射结。