[发明专利]半导体集成电路及其制造方法、使用该电路的半导体装置

摘要

本发明名称为半导体集成电路及其制造方法、使用该电路的半导体装置。在半导体衬底中形成通孔的工序或对半导体衬底从背面进行抛光的工序需要非常长的时间，这成为产率降低的原因。另外，由于层叠有半导体衬底，所以被层叠而形成的半导体集成电路变厚，机械柔软性低。本发明的技术要点如下：在多个衬底上形成剥离层，并在剥离层上形成半导体元件及用来形成贯穿布线的开口部。然后，从衬底剥离具有半导体元件的层并层叠它们，并通过在开口部中形成具有导电性的层形成贯穿布线，以制造半导体集成电路。

主权项

一种用于制造半导体装置的方法，包括：在第一衬底上形成第一释放层；在所述第一释放层上形成晶体管；在所述晶体管上形成第四绝缘层；在所述第四绝缘层中形成第一开口，以通过所述第一开口来暴露所述第一释放层；在所述第一开口中和所述第四绝缘层上形成导电层，以在所述第一开口的底部上提供所述导电层并将所述导电层连接到所述晶体管；分离所述第一衬底和所述第一释放层，以暴露所述导电层的后表面；在第二衬底上形成第二释放层；在所述第二释放层上形成包括第二开口和第二半导体元件的第二元件形成层，所述第二半导体元件包括第二半导体层和夹住所述第二半导体层的第二绝缘两层；从所述第二衬底分离所述第二元件形成层，所分离的第二开口是通孔；在所述第四绝缘层和所述导电层上布置所述第二元件形成层，使得所述第一开口和所分离的第二开口彼此重叠；以及通过在所述第一开口和所述第二开口中以及在所述导电层上滴落导电材料来形成布线，所述布线电连接所述晶体管和所述第二元件形成层。