[发明专利]光电元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110034959.3 | 申请日： | 2011-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN102148301A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 陈世益;许嘉良;徐子杰;吴俊毅;黄建富 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/22;H01L33/02;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开光电半导体元件及其制造方法，该光电半导体元件包括：基板；第一窗口层形成于所述的基板，具有第一片电阻值，第一厚度及第一杂质浓度；第二窗口层，具有第二片电阻值，第二厚度及第二杂质浓度；半导体系统形成于所述的第一窗口层及所述的第二窗口层之间；其中所述的第二窗口层和所述的半导体系统为不同的半导体材料；所述的第二片电阻值低于所述的第一片电阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电半导体元件，包括：基板；第一窗口层，形成于该基板，具有第一片电阻值、第一厚度及第一杂质浓度；第二窗口层，具有第二片电阻值、第二厚度及第二杂质浓度；半导体系统，形成于该第一窗口层及该第二窗口层之间；其中该第二窗口层和该半导体系统包括不同的半导体材料；该第二片电阻值低于该第一片电阻值；该第二厚度大于该第一厚度。
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