[发明专利]MOS器件制备方法有效
| 申请号： | 201110035584.2 | 申请日： | 2011-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102637600A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 唐树澍 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种MOS器件制备方法，属于半导体制造技术领域，具体步骤包括：(1)提供一半导体衬底，以STI定义有源器件区域并进行阱区离子注入；(2)制备多晶硅栅及第一侧墙；(3)旋涂光刻胶并图形化暴露出需进行离子注入的区域；(4)进行源/漏区域的离子注入；(5)去除第一侧墙并进行LDD离子注入；(6)去除光刻胶，制备多晶硅栅第二侧墙。MOS器件源/漏区域的离子注入与LDD离子注入共用一块掩膜版、进行一次光刻完成，具有较低的工艺成本和更简单的工艺步骤，能够有效降低热载流子效应，并防止栅致漏极泄漏的发生，进一步保证MOS器件的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | mos 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS器件制备方法，其特征在于，采用同一掩膜版实现源/漏区域的离子注入和LDD离子注入，其中，所述源/漏区域的离子注入先于所述LDD离子注入完成，所述源/漏区域的离子注入同时以多晶硅栅侧墙作为掩膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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