[发明专利]发光器件封装及其制造方法、以及照明系统有效

专利信息
申请号: 201110036287.X 申请日: 2011-02-01
公开(公告)号: CN102148318A 公开(公告)日: 2011-08-10
发明(设计)人: 金根浩 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/38;H01L33/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 陆弋;王伟
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 公开了发光器件封装及其制造方法、以及照明系统。该发光器件封装包括:发光结构层,该发光结构层包括第一导电半导体层、部分形成在第一导电半导体层下方的有源层、以及该有源层下方的第二导电半导体层;绝缘层,该绝缘层布置在有源层和第二导电半导体层的侧表面上且部分布置在第二导电半导体层下方;电极,该电极布置在第一导电半导体层下方且通过绝缘层与有源层及第二导电半导体层电绝缘;以及金属支撑层,该金属支撑层布置在第二导电半导体层、绝缘层和电极下方,并且包括与电极电连接的第一导电区域、与第二导电半导体层电连接的第二导电区域、以及布置在第一导电区域与第二导电区域之间并使第一导电区域与第二导电区域电绝缘的绝缘区域。
搜索关键词: 发光 器件 封装 及其 制造 方法 以及 照明 系统
【主权项】:
一种发光器件封装,包括:发光结构层,所述发光结构层包括:第一导电半导体层;有源层,所述有源层部分地形成在所述第一导电半导体层下方;以及第二导电半导体层,所述第二导电半导体层位于所述有源层下方;绝缘层,所述绝缘层布置在所述有源层和所述第二导电半导体层的侧表面上,并且部分地布置在所述第二导电半导体层下方;电极,所述电极布置在所述第一导电半导体层下方,并且通过所述绝缘层与所述有源层及所述第二导电半导体层电绝缘;以及金属支撑层,所述金属支撑层布置在所述第二导电半导体层、所述绝缘层和所述电极下方,其中,所述金属支撑层包括:第一导电区域,所述第一导电区域电连接到所述电极;第二导电区域,所述第二导电区域电连接到所述第二导电半导体层;以及绝缘区域,所述绝缘区域布置在所述第一导电区域与所述第二导电区域之间并且使所述第一导电区域与所述第二导电区域电绝缘。
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