[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201110036295.4 | 申请日： | 2011-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN102163675A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 金鲜京 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光器件。该发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；和保护发光结构的表面的钝化层。钝化层包括：发光结构的顶表面上的第一钝化层；和第二钝化层，该第二钝化层具有不同于第一钝化层的折射率，第二钝化层被布置在发光结构的侧表面上。第二钝化层具有大于第一钝化层的折射率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；和所述发光结构上的钝化层，其中所述钝化层包括：第一钝化层，在所述发光结构的顶表面上；和第二钝化层，所述第二钝化层具有不同于所述第一钝化层的折射率，所述第二钝化层被布置在所述发光结构的侧表面上，其中所述第二钝化层具有大于所述第一钝化层的折射率的折射率。
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