[发明专利]基板处理方法有效

专利信息
申请号: 201110036950.6 申请日: 2011-02-12
公开(公告)号: CN102169826A 公开(公告)日: 2011-08-31
发明(设计)人: 丹羽崇文;中村泰之;京田秀治 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/66;H01L21/027;G03F7/00;G03F7/20;G03F7/38
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种基板处理方法,在通过双重图案形成微细的抗蚀图案时,能够降低基板之间以及基板面内的第一次和第二次抗蚀图案的线宽的偏差。该基板处理方法具有第一处理工序和第二处理工序,在该第一处理工序中,通过对形成有第一抗蚀剂膜的基板进行曝光、加热处理、显影处理来形成第一抗蚀图案,在该第二处理工序中,在形成有第一抗蚀图案的基板上形成第二抗蚀剂膜,通过对形成有第二抗蚀剂膜的基板进行曝光、加热处理、显影处理来形成第二抗蚀图案。根据形成于一个基板上的第二抗蚀图案的线宽的测量值来校正第一处理工序的第一处理条件,根据形成于一个基板上的第一抗蚀图案的线宽的测量值来校正第二处理工序的第二处理条件。
搜索关键词: 处理 方法
【主权项】:
一种基板处理方法,其用于对基板进行处理,其具有以下工序:第一处理工序,通过对形成有第一抗蚀剂膜的上述基板进行曝光,对曝光后的上述基板进行加热处理,对加热处理后的上述基板进行显影处理来形成第一抗蚀图案;以及第二处理工序,在形成有上述第一抗蚀图案的上述基板上形成第二抗蚀剂膜,对形成有上述第二抗蚀剂膜的上述基板进行曝光,对曝光后的上述基板进行加热处理,对加热处理后的上述基板进行显影处理,由此形成第二抗蚀图案,在对一个基板进行上述第二处理工序之后,对形成于上述一个基板上的上述第二抗蚀图案的线宽进行测量,根据所测量的上述第二抗蚀图案的线宽的测量值来校正上述第一处理工序的第一处理条件,在校正后的上述第一处理条件下对其它基板进行上述第一处理工序,对形成于上述一个基板上的上述第一抗蚀图案的线宽进行测量,根据所测量的上述第一抗蚀图案的线宽的测量值来校正上述第二处理工序的第二处理条件,在校正后的上述第二处理条件下对上述其它基板进行上述第二处理工序。
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