[发明专利]基板处理方法有效
申请号: | 201110036950.6 | 申请日: | 2011-02-12 |
公开(公告)号: | CN102169826A | 公开(公告)日: | 2011-08-31 |
发明(设计)人: | 丹羽崇文;中村泰之;京田秀治 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/66;H01L21/027;G03F7/00;G03F7/20;G03F7/38 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种基板处理方法,在通过双重图案形成微细的抗蚀图案时,能够降低基板之间以及基板面内的第一次和第二次抗蚀图案的线宽的偏差。该基板处理方法具有第一处理工序和第二处理工序,在该第一处理工序中,通过对形成有第一抗蚀剂膜的基板进行曝光、加热处理、显影处理来形成第一抗蚀图案,在该第二处理工序中,在形成有第一抗蚀图案的基板上形成第二抗蚀剂膜,通过对形成有第二抗蚀剂膜的基板进行曝光、加热处理、显影处理来形成第二抗蚀图案。根据形成于一个基板上的第二抗蚀图案的线宽的测量值来校正第一处理工序的第一处理条件,根据形成于一个基板上的第一抗蚀图案的线宽的测量值来校正第二处理工序的第二处理条件。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理方法,其用于对基板进行处理,其具有以下工序:第一处理工序,通过对形成有第一抗蚀剂膜的上述基板进行曝光,对曝光后的上述基板进行加热处理,对加热处理后的上述基板进行显影处理来形成第一抗蚀图案;以及第二处理工序,在形成有上述第一抗蚀图案的上述基板上形成第二抗蚀剂膜,对形成有上述第二抗蚀剂膜的上述基板进行曝光,对曝光后的上述基板进行加热处理,对加热处理后的上述基板进行显影处理,由此形成第二抗蚀图案,在对一个基板进行上述第二处理工序之后,对形成于上述一个基板上的上述第二抗蚀图案的线宽进行测量,根据所测量的上述第二抗蚀图案的线宽的测量值来校正上述第一处理工序的第一处理条件,在校正后的上述第一处理条件下对其它基板进行上述第一处理工序,对形成于上述一个基板上的上述第一抗蚀图案的线宽进行测量,根据所测量的上述第一抗蚀图案的线宽的测量值来校正上述第二处理工序的第二处理条件,在校正后的上述第二处理条件下对上述其它基板进行上述第二处理工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110036950.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造