[发明专利]一种应用于高压工艺集成电路中电源钳位结构法有效
| 申请号： | 201110037055.6 | 申请日： | 2011-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN102169881A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 刘志伟 | 申请（专利权）人： | 武汉芯安微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/87;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京捷诚信通专利事务所(普通合伙) 11221 | 代理人： | 魏殿绅;庞炳良 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种应用于高压工艺集成电路中电源钳位结构，包括单体MLSCR器件，其包含P阱和N阱，P阱和N阱之间有一桥状P+注入区，所述桥状P+注入区的尺寸范围在2.5um～10.0um，所述电源钳位结构还可采用至少两个上述单体MLSCR器件级联，每个上一级单体MLSCR器件的负极和下一级单体MLSCR器件的正极通过金属连接，且第一级单体MLSCR器件的正极为级联结构的正极，最后一级单体MLSCR器件的负极为级联结构的负极，该电源钳位结构，其单位面积静电防护能力强，通过桥状P+注入区的尺寸调节控制钳位电压，随着级联级数的倍增，级联器件的触发电压值以及钳位电压值也跟着倍增，不用较多的实验计算，易于普及应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 高压 工艺 集成电路 电源 结构 | ||
【主权项】：
一种应用于高压工艺集成电路中电源钳位结构，包括单体MLSCR器件，所述单体MLSCR器件包括P阱和N阱，其特征在于；所述P阱和N阱之间有一桥状P+注入区，所述桥状P+注入区的尺寸调节范围在2.5um～10.0um之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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