[发明专利]浸晶切割方法有效
| 申请号： | 201110037399.7 | 申请日： | 2011-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN102172996A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 卢建伟 | 申请（专利权）人： | 上海日进机床有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201601 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种浸晶切割方法，应用于切割晶体硅锭的多线切割设备中，所述多线切割设备至少具有用于承载待切割晶体硅锭的切割台以及运行切割线的多线切割系统，所述方法首先于所述多线切割设备的切割台上设置成一个容液槽；其次，将所述待切割晶体硅锭放置于容液槽内；然后向容液槽内注入切割液，并使待切割晶体硅锭浸没于切割液中；接着高速运行切割线，使切割线压迫容液槽及浸没于切割液中的待切割晶体硅锭，以使切割线切割容液槽之侧壁时，一并切割位于切割液中的待切割晶体硅锭，且在切割过程中切割液从被切割的容液槽侧壁之豁口处流出以利循环，藉此方法解决了切割砂在切割过程中被带入切割区稀少的问题，从而大大提高了切割效率。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 方法 | ||
【主权项】：
一种浸晶切割方法，应用于切割晶体硅锭的多线切割设备中，所述多线切割设备至少具有用于承载待切割晶体硅锭的切割台以及运行切割线的多线切割系统，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(1)于所述多线切割设备的切割台上围设形成一容液槽；(2)将所述待切割晶体硅锭放置于所述容液槽内；(3)向所述容液槽内注入切割液，并使所述待切割晶体硅锭浸没于所述切割液中；(4)启动所述多线切割系统，高速运行所述切割线；(5)使所述切割线压迫所述容液槽及浸没于所述切割液中的待切割晶体硅锭，以使所述切割线切割所述容液槽之侧壁时，一并切割位于所述切割液中的待切割晶体硅锭，且在切割过程中，所述切割液从被切割的容液槽侧壁之豁口处流出，以便循环利用。
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