[发明专利]发光器件、发光器件封装以及照明系统有效
| 申请号： | 201110039408.6 | 申请日： | 2011-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN102222747A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 金省均;林祐湜;金明洙;秋圣镐;罗珉圭 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供发光器件、发光器件封装以及照明系统。发光器件包括：衬底、发光结构层、第二电极、第一电极、接触部分、以及第一电极层。第一电极被布置在衬底中在有源层下面的区域中从衬底的下部到第一导电类型半导体层的下部。接触部分比第一电极宽并且接触第一导电类型半导体层的下部。第一电极层被布置在衬底下面并且被连接到第一电极。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 封装 以及 照明 系统 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：衬底；发光结构层，所述发光结构层包括第一导电类型半导体层、在所述第一导电类型半导体层上的有源层、以及在所述有源层上的第二导电类型半导体层；第二电极，所述第二电极在所述发光结构层上；第一电极，所述第一电极被布置在所述衬底中并且从所述衬底的下部延伸到所述第一导电类型半导体层的下部，所述第一电极被布置在所述有源层的区域下面；接触部分，所述接触部分具有比被布置在所述衬底中的所述第一电极的宽度宽的宽度，并且所述接触部分被布置在所述第一导电类型半导体层的下部处；以及第一电极层，所述第一电极层被布置在所述衬底下并且被连接到所述第一电极。
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