[发明专利]最小化芯片边缘缺陷的方法及系统无效
| 申请号： | 201110039439.1 | 申请日： | 2011-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN102637640A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 列奥尼德·余·拉左夫斯基 | 申请（专利权）人： | 达尔萨公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/306;H01L27/146;H01L27/148 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 加拿大安大*** | 国省代码： | 加拿大;CA |
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| 摘要： | 一种配置相邻芯片的芯片相邻边的方法，该相邻芯片位于形成在半导体衬底层上的半导体芯片阵列中。所述芯片含有位于所述衬底层上的电路层。所述电路层具有电路层厚度，所述衬底层具有衬底层厚度。所述方法包括：沿芯片相邻边刻蚀形成沟道，该沟道深度超过电路层厚度；划透衬底层形成沟槽，该沟槽沿刻蚀沟道对准地被划刻，并且部分地包含所述沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 最小化 芯片 边缘 缺陷 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种配置相邻芯片的芯片相邻边的方法，所述相邻芯片位于形成在半导体衬底层上的半导体芯片阵列中，所述芯片阵列中的每一芯片包括设置于所述衬底层上的电路层，所述电路层具有电路层厚度，所述衬底层具有衬底层厚度，所述方法包括：沿芯片相邻边刻蚀沟道至超过所述电路层厚度的深度；以及划沟槽至穿透所述衬底层厚度的深度，所述沟槽沿所述刻蚀沟道对准地被划刻，并且部分地包含所述沟道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
