[发明专利]CMOS器件及其形成方法无效
| 申请号： | 201110039628.9 | 申请日： | 2011-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN102646637A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 胥传金 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种CMOS器件及其形成方法，所述CMOS器件包含至少一个PMOS晶体管和至少一个NMOS晶体管，所述方法包括：在所述PMOS晶体管的源极区和漏极区中形成锗硅层；在所述PMOS晶体管和NMOS晶体管的源极区和漏极区中形成镍硅层；沉积张应力膜层，所述张应力膜层覆盖所述PMOS晶体管和NMOS晶体管；去除所述PMOS晶体管上的张应力膜层；对剩余的所述张应力膜层进行紫外线固化工艺；沉积压应力膜层，所述压应力膜层覆盖所述PMOS晶体管和NMOS晶体管；去除所述NMOS晶体管上的压应力膜层。通过本发明提供的CMOS器件及其形成方法改善了CMOS器件的特性。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS器件的形成方法，所述CMOS器件包含至少一个PMOS晶体管和至少一个NMOS晶体管，其特征在于，包括：在所述PMOS晶体管的源极区和漏极区中形成锗硅层；在所述PMOS晶体管和NMOS晶体管的源极区和漏极区中形成镍硅层；沉积张应力膜层，所述张应力膜层覆盖所述PMOS晶体管和NMOS晶体管；去除所述PMOS晶体管上的张应力膜层；对剩余的张应力膜层进行紫外线固化工艺；沉积压应力膜层，所述压应力膜层覆盖所述PMOS晶体管和NMOS晶体管；去除所述NMOS晶体管上的压应力膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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