[发明专利]区域字元线驱动器及其闪存数组装置有效
| 申请号： | 201110039640.X | 申请日： | 2011-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN102646449A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 赤荻隆男 | 申请（专利权）人： | 宜扬科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/24 | 分类号： | G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种反或型闪存的区域字符线驱动器及其闪存数组装置。该区域字符线驱动器系用于驱动内存数组中一区段内的一区域字符线，该区域字符线驱动器具有的晶体管数量系为两个，系由串联的一第一晶体管及一第二晶体管组成，该第一及第二晶体管皆为NMOS晶体管。藉此可减少区域字符线驱动器于电路上占用的面积、缩小芯片尺寸，或者是节省更多的面积来供内存单元使用。 | ||
| 搜索关键词： | 区域 字元 驱动器 及其 闪存 数组 装置 | ||
【主权项】：
一种区域字符线驱动器，其系用于驱动反或型闪存的内存数组中一区段内的一区域字符线，所述的区域字符线驱动器具有的晶体管数量系为两个，其特征在于，所述的区域字符线驱动器由下列串联的二晶体管组成：一第一晶体管，系为NMOS晶体管，其栅极端用于接收一全域字符线译码器的第一控制信号，其漏极端耦接一漏极控制端用于接收一漏极控制信号，其源极端则耦接所述的区域字符线；及一第二晶体管，系为NMOS晶体管，其栅极端用于接收所述的全域字符线译码器的第二控制信号，其漏极端耦接所述的第一晶体管的源极端以及耦接所述的区域字符线，其源极端耦接一源极控制端用于接收一源极控制信号；其中，所述的反或型闪存的内存数组中，同一行上的每一区域字符线驱动器系共享所述的漏极控制端。
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