[发明专利]用于测试氧化层击穿可靠性的结构及方法无效
| 申请号： | 201110044418.9 | 申请日： | 2011-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102176443A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 何燕冬;张钢刚;刘晓彦;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L27/02;G01R31/12 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于测试氧化层击穿可靠性的结构及方法，该结构包括具有不同面积的多个氧化层电容，多个氧化层电容共享同一个栅极，每个氧化层电容包括一个衬底，且各个氧化层电容的衬底相互分离。本发明的测试结构不仅可以使用常规的半导体参数测试设备，而且仅一次测量就可以获得多个氧化层击穿数据，因此在没有增加测试设备成本的前提下，提高了测试效率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测试 氧化 击穿 可靠性 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种用于测试氧化层击穿可靠性的结构，其特征在于，包括具有不同面积的多个氧化层电容，多个氧化层电容共享同一个栅极，每个氧化层电容包括一个衬底，且各个氧化层电容的衬底相互分离。
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