[发明专利]半导体集成电路以及用于制造半导体集成电路的方法无效
| 申请号： | 201110047218.9 | 申请日： | 2011-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN102169865A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 松田觉;安田司;松本市郎 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/29;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体集成电路以及用于制造半导体集成电路的方法。所述半导体集成电路具有安装在带状或者膜状衬底上的半导体芯片，并且所述半导体集成电路具有更高的抗弯曲强度。半导体集成电路包括：可弯曲带状衬底，所述带状衬底包括外部端子、被设置用于耦合到矩形半导体芯片的内部端子、以及用于将内部端子和外部端子相互耦合的布线；以及加强构件，所述加强构件用于在半导体芯片的纵向方向上对在带状衬底之上的半导体芯片进行加固，所述半导体芯片和所述加强构件被利用树脂来进行密封。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体集成电路，其包括：可弯曲的带状衬底，所述带状衬底包括外部端子、被设置用于耦合到矩形半导体芯片的内部端子、以及用于将所述内部端子和所述外部端子相互耦合的布线；矩形半导体芯片，所述矩形半导体芯片与所述衬底电耦合；以及加强构件，所述加强构件用于在所述芯片的纵向方向上对所述衬底之上的所述半导体芯片进行加固，其中，所述半导体芯片和所述加强构件被利用树脂来进行密封。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社，未经瑞萨电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110047218.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置及其制造方法
- 下一篇：晶圆压膜机离形膜保护机构
