[发明专利]蚀刻处理方法

摘要

本发明提供即使形成的图案的深宽比也能够防止图案变形的蚀刻处理方法。在对处理室15内部施加等离子体生成用的高频电力55、对基座12施加离子引入用的高频电力56、对上部电极板27施加负电位的直流电力的基板处理装置10中，改良在晶片W上的光致抗蚀膜45形成的图案44的形状时，用等离子体对光致抗蚀膜45进行蚀刻，使用该光致抗蚀膜45对SiO2膜40通过等离子体蚀刻时，对上部电极板27施加负电位的直流电力，同时以脉冲波状施加等离子体生成用的高频电力55和离子引入用的高频电力56，造成未施加等离子体生成用的高频电力55和离子引入用的高频电力56的状态。

主权项

一种在基板处理装置中对载置在载置台上的基板实施蚀刻处理的蚀刻处理方法，其中，所述基板处理装置具有在内部产生等离子体的处理室；配置在该处理室内部的所述载置台；和与该载置台相对配置在所述处理室内部的电极，对所述处理室内施加频率较高的第1高频电力，对所述载置台施加频率低于所述第1高频电力的第2高频电力，对所述电极施加直流电力，所述基板具有蚀刻对象膜和在该蚀刻对象膜形成的掩膜，该蚀刻处理方法的特征在于，具有：对在所述基板上的掩膜形成的图案的形状进行改良的图案形状改良步骤；和使用所述图案的形状被改良后的掩膜将所述蚀刻对象膜用等离子体进行蚀刻的对象膜蚀刻步骤，在所述图案形状改良步骤中，使用等离子体对所述掩膜实施蚀刻，在所述对象膜蚀刻步骤中，对所述电极施加所述直流电力，并且对所述载置台至少以脉冲波状施加所述第2高频电力而形成没有对所述载置台施加所述第2高频电力的状态。