[发明专利]一种NAND闪存控制器及其控制方法有效

专利信息
申请号: 201110048659.0 申请日: 2011-03-01
公开(公告)号: CN102122271A 公开(公告)日: 2011-07-13
发明(设计)人: 聂火勇;钟思琦;刘旭君;周晓 申请(专利权)人: 株洲南车时代电气股份有限公司
主分类号: G06F13/16 分类号: G06F13/16
代理公司: 上海硕力知识产权代理事务所 31251 代理人: 王法男
地址: 412001 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种NAND闪存控制器及其控制方法,处理器总线接口时序发生器与处理器相连,接收处理器信息,对NAND闪存控制器中的寄存器进行初始化控制;命令锁存寄存器选择闪存芯片中的命令寄存器;地址寄存器选择闪存芯片中的地址寄存器;片选寄存器选择闪存芯片的工作或待机模式;读/写寄存器向闪存芯片中的寄存器写入命令/地址/数据信息;地址/数据寄存器为处理器和闪存芯片的数据/地址交换进行缓冲;忙状态寄存器指示闪存芯片当前工作状态;NAND闪存接口时序发生器实时检测NAND闪存控制器中寄存器的状态,向闪存芯片输出时序波形。本发明技术方案提高了时序的精确性和实时性、降低了CPU负荷,提高了可靠性。
搜索关键词: 一种 nand 闪存 控制器 及其 控制 方法
【主权项】:
一种NAND闪存控制器,其特征在于:包括处理器总线接口时序发生器(4)、命令锁存寄存器(5)、地址寄存器(6)、片选寄存器(7)、读/写寄存器(8)、地址/数据寄存器(9)、忙状态寄存器(10)、NAND闪存接口时序发生器(11),处理器总线接口时序发生器(4)与处理器(1)相连,接收处理器(1)的信息,对NAND闪存控制器(2)中的寄存器进行初始化控制;命令锁存寄存器(5)连接于处理器总线接口时序发生器(4)和NAND闪存接口时序发生器(11)之间,用于选择NAND闪存芯片(3)中的命令寄存器;地址寄存器(6)连接于处理器总线接口时序发生器(4)和NAND闪存接口时序发生器(11)之间,用于选择NAND闪存芯片(3)中的地址寄存器;片选寄存器(7)连接于处理器总线接口时序发生器(4)和NAND闪存接口时序发生器(11)之间,用于选择NAND闪存芯片(3)的工作模式或待机模式;读/写寄存器(8)连接于处理器总线接口时序发生器(4)和NAND闪存接口时序发生器(11)之间,用于向NAND闪存芯片(3)中的寄存器分别写入命令或地址或数据信息;地址/数据寄存器(9)连接于处理器总线接口时序发生器(4)和NAND闪存接口时序发生器(11)之间,为处理器(1)和NAND闪存芯片(3)的数据或地址交换进行缓冲;忙状态寄存器(10)连接于处理器总线接口时序发生器(4)和NAND闪存接口时序发生器(11)之间,指示NAND闪存芯片(3)当前的工作状态;NAND闪存时序发生器(11)为最终连接NAND闪存芯片(3)的接口,用于实时检测NAND闪存控制器(2)中寄存器的状态,向NAND闪存芯片(3)的物理引脚输出时序波形。
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