[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。NMOS晶体管的有源区和PMOS晶体管的有源区被STI元件隔离结构隔开。STI元件隔离结构由第一元件隔离结构以及在除了第一元件隔离结构之外的区域中形成的第二元件隔离结构组成，其中形成该第一元件隔离结构以使其包括两个有源区之间的间隔。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，包括：元件隔离结构，其中在半导体衬底上的元件隔离区域中形成的沟槽被绝缘材料填满，第一导电类型元件，形成在由所述元件隔离结构隔开的第一有源区中，第二导电类型元件，形成在由所述元件隔离结构隔开的第二有源区中；对所述元件隔离结构而言，在所述元件隔离区域的第一元件隔离区域填充有对所述第二有源区施加压应力的第一绝缘材料，所述第一元件隔离区域为与所述第二有源区的相对的一对端面相邻的区域，并且在所述元件隔离区域的除了所述第一元件隔离区域之外的区域即第二元件隔离区域填充有对所述第一和第二有源区施加张应力的第二绝缘材料；所述第一绝缘材料为不同于所述第二绝缘材料的绝缘材料，所述第一绝缘材料由填充所述第一元件隔离区域的下层部分的下层绝缘材料和填充所述第一元件隔离区域的上层部分的上层绝缘材料构成，所述下层绝缘材料和所述上层绝缘材料为施加相互不同的所述压应力的绝缘材料。