[发明专利]沟槽隔离结构的制造方法

摘要

本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的制造方法。于一基底上依序形成一图案化垫层与一图案化掩膜层，其中基底包括一存储单元区与一外围区。以图案化掩膜层为掩膜，移除部分基底，以形成多个沟槽。于基底上形成一第一衬层，以覆盖图案化掩膜层、图案化垫层以及沟槽的表面。移除覆盖外围区的图案化掩膜层、图案化垫层以及沟槽的表面的第一衬层。在移除外围区的第一衬层后，对图案化掩膜层进行一内缩工艺，使得外围区的图案化掩膜层的内缩量大于存储单元区的图案化掩膜层的内缩量。于沟槽中形成绝缘层，以形成多个浅沟槽隔离结构。本发明可使存储器元件具有较佳的元件特性与信赖度。

主权项

一种浅沟槽隔离结构的制造方法，包括步骤：于一基底上依序形成一图案化垫层与一图案化掩膜层，其中该基底包括一存储单元区与一外围区；以该图案化掩膜层为掩膜，移除部分该基底，以形成多个沟槽；于该基底上形成一第一衬层，以覆盖该图案化掩膜层、该图案化垫层以及所述多个沟槽的表面；移除覆盖该外围区的该图案化掩膜层、该图案化垫层以及所述多个沟槽的表面的该第一衬层；对该图案化掩膜层进行一内缩工艺，使得该外围区的该图案化掩膜层的内缩量大于该存储单元区的该图案化掩膜层的内缩量；以及于所述多个沟槽中形成绝缘层，以形成多个浅沟槽隔离结构。