[发明专利]具有低阻值基材与低功率损耗的半导体结构有效
| 申请号： | 201110051017.6 | 申请日： | 2011-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN102651359A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 许修文;谢智正 | 申请（专利权）人： | 尼克森微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L29/41;H01L23/36;H01L21/768;H01L21/60;H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郑小军;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有低阻值基材与低功率损耗的半导体结构，其包括一半导体单元，一第一导电结构，一第一导电物质与一第二导电结构。其中，半导体单元具有一基材，此基材位于半导体单元的一侧并且具有至少一个孔洞。第一导电物质，位于上述的孔洞内，并以填满或不填满的方式存在于孔洞内。第一导电结构，位于半导体单元的该侧的一表面。第二导电结构，位于半导体单元的不同于半导体基材的另一侧表面。本发明能有效降低基材的电阻，进而降低半导体结构导通时的功率损耗，此外，拥有更久的使用寿命。再者，本发明在不增加额外设备的情形下，可延续使用目前封装厂产能的优势，进一步降低功率损耗与潜藏的裂片风险。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 阻值 基材 功率 损耗 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于包括：一半导体单元，具有一基材，该基材位于该半导体单元的一侧并具有至少一个孔；一第一导电结构，位于该半导体单元的该侧的一表面；一第一导电物质，位于该基材的该孔内并与该第一导电结构电性连接；以及一第二导电结构，位于该半导体单元的一另一侧的一表面。
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