[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

半导体装置及制造方法，具备：第一导电型第一半导体区，具有包括第一主面的第一部分和在与该主面正交的第一方向延伸的第二部分；第一导电型第二半导体区，具有在第一部分一侧设成比第二部分沿第一方向的长度短的第三部分和邻接第二部分且向第一方向延伸的第四部分；第二导电型第三半导体区，具有在第三部分的一侧设成比第四部分沿第一方向的长度短的第五部分和邻接第四部分且向第一方向延伸的第六部分；第一导电型第四半导体区，第五部分上设成邻接第六部分；栅区，设于在与第一方向正交的方向且第二、三和四半导体区形成的沟道内；栅绝缘膜，设于沟道内壁和栅区之间；第二导电型电场缓和区，设于第三和第五部分之间，杂质浓度低于第三半导体区。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的第一半导体区，具有第一部分和第二部分，该第一部分包括第一主面，该第二部分在与所述第一主面正交的第一方向上延伸；第一导电型的第二半导体区，具有第三部分和第四部分，该第三部分在所述第一部分的一侧设置成比所述第二部分沿所述第一方向延伸的长度短；该第四部分与所述第二部分邻接，从所述第三部分的上表面的一部分向所述第一方向延伸；第二导电型的第三半导体区，具有第五部分和第六部分，该第五部分在所述第三部分的一侧设置成比所述第四部分沿所述第一方向延伸的长度短；该第六部分与所述第四部分邻接，从所述第五部分的上表面的一部分向所述第一方向延伸；第一导电型的第四半导体区，在所述第五部分之上设置成与所述第六部分邻接；栅区，设置在沟道内，该沟道在与所述第一方向正交的第二方向上形成在所述第二半导体区、所述第三半导体区及所述第四半导体区；栅绝缘膜，设置于所述沟道的内壁和所述栅区之间；以及第二导电型的电场缓和区，设置于所述第三部分和所述第五部分之间，具有比所述第三半导体区的杂质浓度低的杂质浓度。