[发明专利]像素结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201110052295.3 申请日: 2011-03-02
公开(公告)号: CN102176098A 公开(公告)日: 2011-09-07
发明(设计)人: 林武雄;陈勃学;陈信学;沈光仁;叶家宏 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/02;H01L21/77
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;鲍俊萍
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种像素结构及其制造方法,选择在形成主动层时以相同的材质来制作储存电容的电极,其中材质可采用具有良好透光率的氧化半导体,如此除了可通过储存电容来维持像素结构显示画面的稳定性,又能够兼顾良好的开口率,甚至进一步降低能源的耗费。
搜索关键词: 像素 结构 及其 制作方法
【主权项】:
一种像素结构,其特征在于,包括:一基板;一扫描线,配置于该基板上;一栅极,配置于该基板上且电性连接该扫描线;一栅绝缘层,配置于该基板上且覆盖该栅极与该扫描线;一主动层,配置于该栅绝缘层上且对应位于该栅极上方,该主动层包括一源极区、一漏极区以及位于该源极区与该漏极区之间的一通道区,其中该源极区与该漏极区的片电阻小于该通道区的片电阻;一阻挡层,配置于该主动层的该通道区上,且暴露出该源极区与该漏极区;一电容电极,配置于该栅绝缘层上;一源极电极,位于该栅绝缘层上,且该源极电极电性连接该主动层的该源极区;一漏极电极,位于该栅绝缘层上,且该漏极电极电性连接该主动层的该漏极区;一数据线,配置于该栅绝缘层上且电性连接该源极电极,该数据线的延伸方向与该扫描线的延伸方向相交;一共享线,配置于该栅绝缘层上且连接该电容电极;一保护层,配置于该栅绝缘层上,该保护层覆盖该主动层、该阻挡层、该电容电极、该源极电极、该漏极电极、该数据线以及该共享线,且该保护层具有一接触窗暴露出至少部分该漏极电极;以及一像素电极,配置于该保护层上,该像素电极经由该接触窗电性连接至该漏极电极。
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