[发明专利]多晶硅生产方法和系统有效
| 申请号： | 201110054590.2 | 申请日： | 2011-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN102674358A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 齐林喜;陈琳;刘占卿 | 申请（专利权）人： | 内蒙古盾安光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张群峰;杨楷 |
| 地址： | 015543 内蒙*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 多晶硅生产方法和系统。该方法包括：提供由三氯氢硅和二氯二氢硅组成的硅源，其中三氯氢硅和二氯二氢硅的比例范围在20:1和30:1之间；加热硅源以使其形成气体三氯氢硅气体和二氯二氢硅气体；提供氢气；使三氯氢硅气体和二氯二氢硅气体与氢气混合；提供设置有硅芯的还原炉；以及在还原炉中引入混合后的三氯氢硅气体、二氯二氢硅气体与氢气，并且使还原炉中的气体压力为0.4-0.6Mpa，硅芯温度为1080-1150℃，从而在硅芯上还原制备多晶硅。由于本发明将精炼提纯的三氯氢硅和二氯二氢硅按照特定比例混合进入还原炉，因此可获得快速的硅沉积速率，同时又不会发生均相成核现象。另外，本发明还显著提高了多晶硅的生产质量、大大降低了能耗和生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 生产 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种多晶硅生产方法，包括：提供由三氯氢硅和二氯二氢硅组成的硅源，其中三氯氢硅和二氯二氢硅的比例范围在20:1和30:1之间；加热硅源以使其形成气体三氯氢硅气体和二氯二氢硅气体；提供氢气；使三氯氢硅气体和二氯二氢硅气体与氢气混合；提供设置有硅芯的还原炉；以及在还原炉中引入混合后的三氯氢硅气体、二氯二氢硅气体与氢气，并且使还原炉中的气体压力为0.4‑0.6Mpa，硅芯温度为1080‑1150℃，从而在硅芯上还原制备多晶硅。
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