[发明专利]一种熔盐电解精炼工业硅制备硅纳米线方法无效
| 申请号： | 201110056855.2 | 申请日： | 2011-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN102154659A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 谢宏伟;邹祥宇;王锦霞;翟玉春 | 申请（专利权）人： | 东北大学 |
| 主分类号： | C25B1/00 | 分类号： | C25B1/00;C01B33/037;C30B30/02;C30B29/06;C30B29/62 |
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| 地址： | 110819 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种以NaF、LiCl3、NaCl、KCl、KF、Na2SiF6、K2SiF6或它们的混合物为电解质，工业硅为阳极，阴极熔盐电解制备硅纳米线方法。该方法包括以下步骤：(1)熔盐常规方法脱水制成电解质，石英石、碳还原制备的工业硅定向凝固除杂制成阳极；(2)在熔盐电解质中两极间施加低于熔盐电解质分解高于硅沉积的电压，极间距≥1cm，恒电流电解精炼；(3)电解一定时间取出阴极钨棒，插入另一根连续精炼。将取出的钨棒放入稀盐酸中除盐，过滤产物，再用去离子水清洗，60℃烘干，封装。处理好的钨棒重新使用。工艺流程简单、设备简便，无固、液、气的废弃物排放，不造成二次污染，以较低的成本实现了硅纳米线的生产。制备出的硅纳米线纯度高达6～7N，尺寸在30～50nm，分布均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电解 精炼 工业 制备 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种以NaF、LiCl3、NaCl、KCl、KF、Na2SiF6、K2SiF6或它们的混合物为电解质。工业硅为原料制成阳极，高于电解质熔点操作温度，电解精炼制备硅纳米线方法，其特征在于包括如下步骤：(1)将熔盐常规方法200℃，恒温2天脱水制成电解质，碳还原石英石制备的工业硅定向凝固除杂制成阳极；(2)在熔盐电解质中两极间施加低于熔盐电解质分解高于硅沉积的电压，极间距≥1cm，恒电流电解精炼；(3)电解一定时间取出阴极钨棒，插入另一根钨棒连续电解精炼合成硅纳米线，将取出的钨棒放入稀盐酸中除盐，过滤产物，再用去离子水清洗，60℃烘干，封装，处理好的钨棒重新使用。
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