[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201110056957.4 | 申请日： | 2011-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN102194863A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 胁本博树;井口研一;吉川功;中岛经宏;田中俊介;荻野正明 | 申请（专利权）人： | 富士电机控股株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331;H01L21/306;H01L21/78 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 所揭示的是能够防止电特性退化的半导体器件及制造半导体器件的方法，多个场限环(FLR)和沟道挡块在反向阻断IGBT的反向电源阻断结构中被设置在n型漂移区的正面的表面层上。p型集电区设置在n型漂移区的背面表面的表面层上。在元件端部设置用于获取反向阻断能力的p+型隔离层。此外，凹部设置成从n型漂移区的背面表面延伸至p+型隔离层。p型区被设置在侧壁的表面层上，且凹部的底部与p+型隔离层和p型集电区彼此电连接。p+型隔离层与沟道挡块相接触。此外，p+型隔离层被设置成包括解理面，该解理面将凹部的底部和侧壁之间的边界作为一条边。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：正面元件结构，其设置在第一导电类型衬底的第一主面上；第二导电类型的第一半导体区，其在所述衬底的第一主面上设置在一元件的端部处；凹部，其从所述衬底的第二主面延伸至所述第一半导体区；以及第二导电类型的第二半导体区，其设置在所述衬底的第二主面上且与所述第一半导体区电连接，其中所述第一半导体区包括至少一个解理面，所述至少一个解理面将所述凹部的底部和侧壁之间的边界作为其一条边。
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