[发明专利]半导体器件和形成牺牲保护层以在单体化期间保护半导体管芯边缘的方法有效
| 申请号： | 201110058465.9 | 申请日： | 2011-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN102683279A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 林耀剑;陈康;方建敏;冯霞 | 申请（专利权）人： | 新科金朋有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/60;H01L21/56;H01L23/485;H01L23/31 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;蒋骏 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 半导体器件和形成牺牲保护层以在单体化期间保护半导体管芯边缘的方法。半导体晶片包含被划片街区分开的多个半导体管芯。绝缘层形成在半导体晶片上。保护层形成在包括沿划片街区的半导体管芯的边缘的绝缘层上。保护层覆盖半导体晶片的整个表面。可替换地，在划片街区上的保护层中形成开口。绝缘层具有非平面表面且保护层具有平面表面。通过保护层和划片街区将半导体晶片单体化以分离半导体管芯同时保护半导体管芯的边缘。以保护层为首，将半导体管芯安装到载体。密封剂沉积在半导体管芯和晶片上。载体和保护层被除去。装配互连结构形成在半导体管芯和密封剂上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 牺牲 保护层 单体 期间 保护 半导体 管芯 边缘 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：提供包含被划片街区分开的多个半导体管芯的半导体晶片;在半导体晶片上形成第一绝缘层;沿划片街区在包括半导体管芯的边缘的第一绝缘层上形成保护层;通过保护层和划片街区单体化半导体晶片以分离半导体管芯同时保护半导体管芯的边缘;以保护层为首，将半导体管芯安装到载体;在半导体管芯和载体上沉积密封剂;除去载体和保护层;以及在半导体管芯和密封剂上形成装配互连结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
