[发明专利]电介质瓷组成物以及陶瓷电子零件

摘要

本发明的电介质瓷组成物，是含有钙钛矿型化合物(ABO3)，相对于100摩尔的化合物，用各氧化物换算，含有1.0～2.5摩尔的RA2O3(RA为Dy、Gd以及Td中选出的一种以上)、0.2～1.0摩尔的RB2O3(RB为Ho和/或Y)、0.1～1.0摩尔的RC2O3(RC为Yb和/或Lu)、用Mg换算为0.8～2.0摩尔的Mg氧化物、用Si换算为1.2～3.0摩尔的Si化合物，RA2O3的含量(α)、RB2O3的含量(β)、RC2O3的含量(γ)满足关系式2.5≤α/β≤5.0、1.0≤β/γ≤10.0。这种电介质瓷组成物最好是使用于电介质层的厚度为5.0微米以下的电子零件。如果采用本发明，则能够提供即使是在电介质层薄型化的情况下，也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物以及电子零件。

主权项

一种电介质瓷组成物，其特征在于，作为主成分，含有用一般式ABO3表示的具有钙钛矿型结晶结构的化合物，A是Ba、Ca和Sr中选出的至少一种，B是从Ti和Zr选出的至少一种；相对于100摩尔的上述化合物，作为副成分，含有用RA2O3换算，1.0～2.5摩尔的RA氧化物，RA为Dy、Gd以及Td形成的一群中选出的至少一种、用RB2O3换算，0.2～1.0摩尔的RB氧化物，RB为Ho和Y形成的一群中选出的至少一种、用RC2O3换算为0.1～1.0摩尔的RC氧化物，RC为Yb及Lu形成的一群中选出的至少一种、用Mg换算为0.8～2.0摩尔的Mg氧化物、用Si换算为1.2～3.0摩尔的含Si化合物；相对于100摩尔的上述化合物，上述RA氧化物的含量、上述RB氧化物的含量以及上述RC氧化物的含量分别记为α、β、γ时，满足关系式2.5≤α/β≤5.0、1.0≤β/γ≤10.0。