[发明专利]一种深槽和深注入型超结器件有效
| 申请号： | 201110060575.9 | 申请日： | 2011-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN102169902A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 李铁生;邢正人;肖德明 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 徐宏;詹永斌 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有降低表面电场技术(Reduced Surface Field，RESURF)作用的半导体器件，该器件具有较深的沟槽和较深的注入区，同时，本发明还公开了一种制作该器件的方法。该RESURF器件包含多个交替的第一区和第二区，所述第一区和第二区分别具有第一导电类型和第二导电类型，其中，每个第二区包含一个形成在第二区沟槽中的注入区，该器件可保证在较高耐压值时具有较低的导通电阻，同时易于制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 注入 型超结 器件 | ||
【主权项】：
一种功率器件，包括：衬底；形成在衬底上的多个具有第一导电类型的第一区；以及形成在衬底上的多个具有第二导电类型的第二区，所述第二区与所述第一区交错，每一个所述第二区包含：沟槽区；注入区，注入于所述衬底和所述沟槽区之间；导电柱，形成于沟槽区内；以及绝缘层，用于将导电柱同注入区以及邻近第二区的第一区隔开。
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