[发明专利]闪存及其编程方法有效
| 申请号： | 201110061751.0 | 申请日： | 2011-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102184745A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/34 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种闪存及其编程方法，本发明闪存至少包含排成多行和多列的存储单元阵列、位线刷新电路及列选通电路，本发明通过采用连接至调节电压的电流镜电路作为位线刷新电路对位线上的电压进行刷新，使得位线上不会存在结的泄漏问题，且由于本发明与位线相连的电流镜电路的NMOS晶体管栅漏短接，则不会有电流从编程电压倒灌至调节电压，因此编程更为准确，另外，本发明还通过调节电压驱动字线，可达到进一步提高闪存的读取速度的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 及其 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种闪存，至少包括：排成多行和多列的存储单元阵列，该存储单元阵列具有多条第一位线、多条第二位线以及形成阵列的多个闪存单元，每列闪存单元分别与一第一位线与第二位线相连；位线刷新电路，用于在编程期间对位线上的电压进行刷新，其包含多个电流镜电路，其中每个电流镜电路连接于一调节电压与该存储单元阵列之一位线之间，该电流镜电路使得与其连接的位线上的编程电压不会倒灌至该调节电压；以及列选通电路，其通过各条位线与该存储单元阵列连接，用于选择将哪一路数据输出。
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