[发明专利]电子器件和电子器件的制造方法无效

专利信息
申请号: 201110063767.5 申请日: 2011-03-14
公开(公告)号: CN102194780A 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 本桥纪和;副岛康志;栗田洋一郎 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L23/522;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56;H01L21/50;H01L21/78;H05K3/46
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 孙志湧;穆德骏
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及电子器件和电子器件的制造方法。在具有多层树脂互连层的电子器件中,期望减小其支撑衬底的翘曲。通过以下步骤来制造电子器件:在支撑衬底上形成包括通孔和第一绝缘部分的下层;以及在下层上形成中间层,所述中间层包括第一互连以及覆盖所述第一互连的第二绝缘部分。通过以下步骤来形成下层:在第一电路区域和围绕其的第一区域上形成第一绝缘部分;以及在第一电路区域上形成通孔。通过以下步骤来形成中间层:在第一电路区域上形成第一互连;形成第二绝缘部分的膜以覆盖下层;以及去除第一区域上的第二绝缘部分,使得露出下层部分的上表面的外围部分。
搜索关键词: 电子器件 制造 方法
【主权项】:
一种电子器件的制造方法,包括:在支撑衬底上形成下层部分,所述下层部分包括导电通孔以及覆盖所述通孔的第一绝缘部分;以及在所述下层部分上形成中间层部分,所述中间层部分包括电连接到所述通孔的第一互连以及覆盖所述第一互连的第二绝缘部分,其中,所述的形成所述下层部分包括:在用于形成电路的第一电路形成区域以及围绕该第一电路形成区域的第一区域上,形成所述第一绝缘部分;以及在所述第一电路形成区域上形成所述通孔,以及所述的形成所述中间层部分包括:在所述第一电路形成区域上形成所述第一互连;形成所述第二绝缘部分的膜以覆盖所述下层部分;以及去除在所述第一区域上的所述第二绝缘部分,以使得露出所述下层部分的上表面的外围部分。
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