[发明专利]金属半导体化合物薄膜和DRAM存储单元及其制备方法有效
| 申请号： | 201110063882.2 | 申请日： | 2011-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN102184946B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 吴东平;张世理;朱志炜;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L27/108;H01L21/283;H01L21/02;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)31260 | 代理人： | 卢刚 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属半导体化合物薄膜，形成于半导体层与多晶半导体层之间，其厚度为2～5nm，从而改善所述半导体层与多晶半导体层之间的接触；还公开了一种DRAM存储单元，该存储单元中的MOS晶体管的漏区与多晶半导体缓冲层之间加入金属半导体化合物薄膜，且其厚度为2～5nm，从而可在提高晶体管的读写速度的同时，避免所述漏区与硅衬底之间的漏电流过度增大；同时，还公开了一种DRAM存储单元的制备方法，该方法形成的DRAM存储单元，其MOS晶体管器件的漏区与多晶半导体缓冲层之间形成有金属半导体化合物薄膜，且所述金属半导体化合物薄膜的厚度控制在2～5nm，从而可提高DRAM存储单元的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 半导体 化合物 薄膜 dram 存储 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种DRAM存储单元，包括半导体衬底、形成于所述半导体衬底上的MOS晶体管及电容，所述MOS晶体管的源区与一位线相连，其栅区与一字线相连，其漏区通过一缓冲层与所述电容相连，所述缓冲层的材料为多晶半导体，其特征在于，在所述漏区与所述缓冲层之间还包括金属半导体化合物薄膜，其中所述金属半导体化合物薄膜为金属锗化物，所述金属为镍、钛中任一种，或镍、钛中的任一种并掺入铂，所述金属半导体化合物薄膜的厚度为2nm；所述的DRAM存储单元的制备方法，包括如下步骤：提供一半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成MOS晶体管器件；在所述MOS晶体管器件的漏区形成金属半导体化合物薄膜，其中所述金属半导体化合物薄膜为金属锗化物，所述金属为镍、钛中任一种，或镍、钛中的任一种并掺入铂，所述金属半导体化合物薄膜的厚度为2nm；在所述金属半导体化合物薄膜上形成缓冲层；在所述半导体衬底上形成电容，所述电容与所述缓冲层相连；其中，在所述MOS晶体管器件的漏区形成金属半导体化合物薄膜进一步包括如下步骤：在所述MOS晶体管器件的漏区上沉积金属层，所述金属向所述漏区扩散；去除所述漏区表面剩余的金属层；进行退火，在所述MOS晶体管器件的漏区形成金属半导体化合物薄膜；所述漏区上沉积金属层时的衬底温度为0～300℃。
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