[发明专利]硅片电镀铜后的清洗方法有效
| 申请号： | 201110064597.2 | 申请日： | 2011-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN102140669A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 林宏 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | C25D21/08 | 分类号： | C25D21/08;C25D7/12;H01L21/288 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片电镀铜后的清洗方法，该方法通过在电镀铜后的硅片进行去边工艺或背清洗工艺的同时，采用脉冲水流对硅片正表面进行保护，有效减少了高速腐蚀液因反溅到硅片表面或形成酸雾而造成的硅片表面的铜镀层的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 镀铜 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片电镀铜后的清洗方法，其特征在于，在对电镀铜后的硅片进行去边工艺或背清洗工艺的同时，采用脉冲水流对硅片正表面进行保护。
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