[发明专利]画素结构的制作方法及修补方法与修补后的画素结构

摘要

本发明涉及一种画素结构的修补方法。画素结构包括一主动组件、一保护层及一画素电极。主动组件包括一闸极、一闸绝缘层、一半导体层及一金属层。半导体层具有一通道区及一暴露出部分闸绝缘层的开口。金属层的一源极区块与一第二汲极区块位于通道区的两侧上，而金属层的源极区块与一第一汲极区块位于开口的两侧上。画素电极透过保护层的一第一接触窗口与第一汲极区块电性连接。修补方法包括：形成一贯穿画素电极与保护层且暴露出部分第二汲极区块的第二接触窗口；以及形成一导电层于第二接触窗口内，画素电极透过导电层与第二汲极区块电性连接。

主权项

一种画素结构的修补方法，适于修补一画素结构，该画素结构配置于一基板，且该画素结构包括一主动组件、一保护层以及一画素电极，该主动组件包括一闸极、一闸绝缘层、一半导体层以及一金属层，其中该闸极配置于该基板上，该闸绝缘层位于该半导体层与该闸极之间，该半导体层具有一通道区以及一暴露出部分该闸绝缘层的开口，该金属层具有一第一汲极区块、一第二汲极区块以及一源极区块，该源极区块与该第二汲极区块位于该通道区的两侧上，该源极区块位于该第一汲极区块与该第二汲极区块之间，且该源极区块与该第一汲极区块位于该开口的两侧上，该保护层覆盖该主动组件并与被该开口所暴露出的部分该闸绝缘层直接接触，该保护层具有一第一接触窗口，该画素电极配置于该保护层上且透过该第一接触窗口与该第一汲极区块电性连接，其特征在于，该修补方法包括：形成一贯穿该画素电极与该保护层的第二接触窗口，其中该第二接触窗口暴露出部分该第二汲极区块；以及形成一导电层于该第二接触窗口内，该画素电极透过该导电层与该第二汲极区块电性连接。