[发明专利]光器件晶片的加工方法有效
| 申请号： | 201110068023.2 | 申请日： | 2011-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN102201502A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 星野仁志 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 党晓林;王小东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供光器件晶片的加工方法，能够不降低光器件品质地分割成一个个光器件。该加工方法用于将光器件晶片沿着间隔道分割成一个个光器件，该加工方法包括以下工序：激光加工槽形成工序，沿间隔道照射相对于光器件晶片的基板具有吸收性的波长的激光光线，在基板的表面或者背面形成成为断裂起点的激光加工槽；变质物质除去工序，将以金刚石磨粒为主要成分的切削刀具定位在形成于基板的激光加工槽，使该切削刀具旋转并且扫过激光加工槽的壁面同时相对移动，由此，除去在激光加工槽形成时生成的变质物质，并且将激光加工槽的壁面加工成粗加工面；以及晶片分割工序，对光器件晶片施加外力，使光器件晶片沿除去了变质物质的加工槽断裂，从而分割成一个个光器件。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种光器件晶片的加工方法，其是将光器件晶片沿着间隔道分割成一个个光器件的光器件晶片的加工方法，在所述光器件晶片中，在基板的表面层叠有光器件层，并且在通过呈格子状地形成的多条间隔道划分出的多个区域形成了光器件，所述光器件晶片的加工方法的特征在于，该光器件晶片的加工方法包括以下工序：激光加工槽形成工序，在该激光加工槽形成工序中，沿间隔道照射相对于光器件晶片的基板具有吸收性的波长的激光光线，在基板的表面或者背面形成成为断裂起点的激光加工槽；变质物质除去工序，在该变质物质除去工序中，将以金刚石磨粒为主要成分的切削刀具定位在形成于基板的激光加工槽，使该切削刀具一边旋转一边循着激光加工槽的壁面相对移动，由此，除去在激光加工槽形成时生成的变质物质，并且将激光加工槽的壁面加工成粗面；以及晶片分割工序，在该晶片分割工序中，对光器件晶片施加外力，使光器件晶片沿除去了变质物质的加工槽断裂，从而分割成一个个光器件。
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