[发明专利]一种三氯氢硅、四氯化硅和二氯二氢硅的精馏方法及其装置

摘要

本发明提供了一种三氯氢硅、四氯化硅和二氯二氢硅的精馏方法：包括：a)将含有三氯氢硅、四氯化硅和二氯二氢硅以及杂质的原料液通入第一精馏塔中进行精馏，从所述原料液中分离出四氯化硅以及第一部分杂质，b)将所述第一精馏塔的塔顶馏分通入第二精馏塔中进行精馏，从所述第一精馏塔的塔顶馏分中分离二氯二氢硅馏分；并将二氯二氢硅馏分通入分离塔中进行精馏分离，分离出第二部分杂质，并得到二氯二氢硅；c)将所述第二精馏塔的塔底馏分通入第三精馏塔中，从所述塔底馏分中分离第三部分杂质；并得到三氯氢硅。本发明提供的精馏方法将原料液中的二氯二氢硅通过精馏分离，降低了能耗，节约了成本，保护了环境。本发明还提供了一种精馏装置。

主权项

一种三氯氢硅、四氯化硅和二氯二氢硅的精馏方法，其特征在于，包括：a)将含有三氯氢硅、四氯化硅和二氯二氢硅以及杂质的原料液通入第一精馏塔中进行精馏，从所述原料液中分离出四氯化硅以及第一部分杂质；所述第一精馏塔塔顶操作压力为0.05‑0.5MPaG，塔釜操作压力为0.055‑0.55MPaG，塔顶操作温度为40‑100℃，塔釜操作温度为70‑136℃；b)将所述第一精馏塔的塔顶馏分通入第二精馏塔中进行精馏，从所述第一精馏塔的塔顶馏分中分离二氯二氢硅馏分；并将二氯二氢硅馏分通入分离塔中进行精馏分离，分离出第二部分杂质，并得到二氯二氢硅；所述第二精馏塔塔顶操作压力为0.15‑0.5MPaG，塔釜操作压力为0.16‑0.55MPaG，塔顶操作温度为50‑95℃，塔釜操作温度为60‑100℃；所述分离塔的塔顶操作压力为0.15‑0.5MPaG，塔釜操作压力为0.16‑0.55MPaG，塔顶操作温度为38‑72℃，塔釜操作温度为60‑100℃；c)将所述第二精馏塔的塔底馏分通入第三精馏塔中，从所述塔底馏分中分离第三部分杂质；并得到三氯氢硅；所述第三精馏塔塔顶操作压力为0.05‑0.5MPaG，塔釜操作压力为0.06‑0.55MPaG，塔顶操作温度为40‑100℃，塔釜操作温度为45‑110℃。