[发明专利]半导体装置封装体及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置封装体及其制造方法，其中，具有穿硅插塞(或导孔)的基板可不需使用导电凸块。工艺流程非常简单且有成本效益。本结构将个别的硅穿孔、重分布层及导电凸块结构结合至单一结构中。经由结合个别的结构，可以得到一具有高散热能力的低电阻电性连接。另外，具有穿硅插塞(或导孔，或沟槽)的基板也使得多个芯片可以封装在一起。穿硅沟槽可围绕一个或多个芯片，以在工艺中避免铜扩散到邻近装置。另外，多个具有相似或相异功能的芯片可整合在硅穿孔基板上。具不同图案的穿硅插塞可用在一半导体芯片之下以增进散热及解决工艺问题。

主权项

一种半导体装置封装体，包括：一基板，其具有从该基板的一第一表面延伸至与该第一表面相反的一第二表面的多个穿硅插塞，其中一隔离层及一第一铜阻挡层内衬于该一个或多个穿硅插塞的侧壁，且一第一铜层填入所述多个穿硅插塞，其中所述多个穿硅插塞具有第一端及第二端，且其中第二端具有该第一铜层延伸于该基板的第一表面之上，而第一端具有该第一铜层填充至该基板的第二表面；一第二铜层，形成于所述多个穿硅插塞的第一端上，其中该第二铜层定义出一区域以接收一半导体芯片，其中具有一第二铜阻挡层分离所述多个穿硅插塞第一端上的该第一铜层与该第二铜层；及该半导体芯片置于该第二铜层所定义出的区域之上。