[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201110071731.1 | 申请日： | 2011-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102194773A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 理崎智光;中西章滋;岛崎洸一 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/78;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;王忠忠 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种适合防止伴随着切割的膜剥离及防止异常放电的半导体装置。半导体装置的结构为，半导体装置包括划线区域(003)和IC区域(004)，在划线区域(003)的层间绝缘膜(002)设有至少一个分离槽(007)，在分离槽(007)的两侧的侧壁形成由堵塞物金属膜构成的边壁(011)，设有至少覆盖边壁的钝化膜。本发明还提供该半导体装置的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括划线区域和IC区域，具有：半导体衬底；遍及所述划线区域和所述IC区域而配置在所述半导体衬底上的第一绝缘膜；设在所述划线区域的所述第一绝缘膜的分离槽；由形成于所述分离槽的侧壁的堵塞物金属膜构成的边壁；以及覆盖所述边壁的第二绝缘膜。
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