[发明专利]镁二次电池的修饰正极材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201110071813.6 | 申请日： | 2011-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN102136573A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 吴晓梅;曾小勤;丁文江;李德江;李斐;张思 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01M4/48 | 分类号： | H01M4/48;H01M4/04 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 毛翠莹 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种镁二次电池的修饰正极材料及其制备方法，该正极材料是经过杂多酸修饰的四价钼酸镁，按质量百分比，四价钼酸镁的含量为85％～99％，杂多酸的含量为1％～15％。本发明中的四价钼酸镁，其化学结构式为：Mg1+xMoO3，其中0＜x≤0.1，制备方法是采用镁的化合物、钼的化合物、活性炭为原料，氩气为保护气体，经高温固相反应法制备得到四价钼酸镁粉末，然后用杂多酸进行修饰，得到一种镁二次电池的正极材料。该正极材料具有良好的电化学充放电行为，与目前镁二次电池较为理想的正极材料Mo3S4相比，其制备方法简单易行、成本低、具有高比容量和优良循环可逆性能，有显著的实用价值和经济效益。 | ||
| 搜索关键词： | 二次 电池 修饰 正极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种镁二次电池的修饰正极材料，其特征在于由经杂多酸修饰的四价钼酸镁粉末构成，按质量百分比计，四价钼酸镁的含量为85％～99％，杂多酸的含量为1％～15％；所述四价钼酸镁为黑色粉末，化学结构式为Mg1+xMoO3，其中0＜x≤0.1。
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