[发明专利]高电压静电放电防护用的自我检测装置及其制造方法有效
申请号: | 201110072048.X | 申请日: | 2011-03-22 |
公开(公告)号: | CN102693977A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 陈信良;杜硕伦;陈永初;吴锡垣 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/8249 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了高电压静电放电(ESD)防护用的自我检测装置及其制造方法。ESD防护装置可包含一衬底、一N型阱区及一P型阱区。N型阱区配置对应于衬底的一第一部分并具有两个配置于其的一表面的N+区段。P型阱区配置成接近衬底的一第二部分并具有一P+区段与一N+区段。两个N+区段可彼此隔开且每个可关联至装置的一阳极。N+区段可关联至装置的一阴极。一接触部可配置于在两个N+区段之间的一空间中并连接至P+区段。接触部可形成一寄生电容,其关联至联合N+区段形成的一寄生电阻而提供自我侦测以供高电压ESD防护使用。 | ||
搜索关键词: | 电压 静电 放电 防护 自我 检测 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种静电放电防护装置,包含:一衬底;一N型阱区,配置成对应于该衬底的一第一部分并具有两个配置于其的一表面的N+区段,该两个N+区段彼此隔开且每个都关联至该装置的一阳极;一P型阱区,配置成接近该衬底的一第二部分并具有一P+区段与一N+区段,该N+区段关联至该装置的一阴极,其中一接触部是配置于一在该两个N+区段之间的空间中并连接至该P+区段,该接触部形成一寄生电容,其与形成于该N+区段关联的一寄生电阻连接而提供自我侦测以供高电压ESD防护用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的