[发明专利]高压元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110072473.9 | 申请日： | 2011-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102694008A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 黄宗义;黄建豪 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种高压元件及其制造方法，高压元件形成于第一导电型基板中，该基板利用绝缘区以定义元件区，高压元件包含：漂移区，位于元件区中，其具有第二导电型杂质掺杂，且漂移区由俯视图视之，分别在横向与纵向上，第二导电型杂质的浓度分布大致具有周期性的变化；位于基板表面上，元件区中的栅极；以及位于元件区中，栅极两侧的第二导电型源极、与第二导电型漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高压元件形成于一第一导电型基板中，该基板利用绝缘区以定义一元件区，其特征在于，该高压元件包含：一漂移区，位于该元件区中，其具有第二导电型杂质掺杂，且该漂移区由俯视图视之，分别在横向与纵向上，第二导电型杂质的浓度分布具有周期性的变化；位于该基板表面上，元件区中的一栅极；以及位于该元件区中，该栅极两侧的第二导电型源极、与第二导电型漏极。
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