[发明专利]MOS晶体管栅极电阻测试结构有效
| 申请号： | 201110072999.7 | 申请日： | 2011-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102693959A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 刘梅;李平梁 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种MOS晶体管栅极电阻测试结构，包括m组MOS晶体管；每一组MOS晶体管包括n个不同沟道宽度的MOS晶体管；同一组MOS晶体管具有相同沟道长度；不同组MOS晶体管具有不同沟道长度；各MOS晶体管的类型相同。利用该MOS晶体管栅极电阻测试结构，能直观地得到考虑栅极电阻对MOS晶体管特性的影响时，MOS晶体管的模型中的电阻元件Rg的函数式中的各系数。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 栅极 电阻 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管栅极电阻测试结构，其特征在于，包括m组MOS晶体管；每一组MOS晶体管包括n个不同沟道宽度的MOS晶体管；同一组MOS晶体管具有相同沟道长度；不同组MOS晶体管具有不同沟道长度；各MOS晶体管的类型相同；m、n为正整数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110072999.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
