[发明专利]一种锆铒镱三掺铌酸锂晶体及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201110074197.X 申请日: 2011-03-25
公开(公告)号: CN102162133A 公开(公告)日: 2011-08-24
发明(设计)人: 王锐;钱艳楠;徐衍岭;邢丽丽 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C30B29/30 分类号: C30B29/30;C30B15/00
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 韩末洙
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种锆铒镱三掺铌酸锂晶体及其制备方法,涉及三掺LiNbO3晶体及其制备方法。解决现有铒掺杂的铌酸锂晶体在发光强度和寿命方面不好的问题。锆铒镱三掺铌酸锂晶体由氧化锆、氧化铒、氧化镱、五氧化二铌和碳酸锂五种原料制成。首先称取上述原料,熔化得熔液后,采用提拉法进行晶体生长,退火后,再极化处理即可。本发明的晶体在1550nm波段光发射强度比未掺杂样品提高了约3倍。本发明晶体的Er3+离子的4I13/2能级寿命τ达4.23ms,与铒镱两掺铌酸锂晶体相比延长了8.18%,比单掺Er(1mol%):LiNbO3晶体的寿命2.3ms提高了近两倍。本发明的晶体在光波导激光器与放大器方面具有很好的应用前景。
搜索关键词: 一种 锆铒镱三掺铌酸锂 晶体 及其 制备 方法
【主权项】:
一种锆铒镱三掺铌酸锂晶体,其特征在于锆铒镱三掺铌酸锂晶体是由氧化锆、氧化铒、氧化镱、五氧化二铌和碳酸锂五种原料制成的,其中,碳酸锂和五氧化二铌的摩尔比为0.946∶1,氧化锆摩尔量占五种原料总摩尔量的1%~5%,氧化铒摩尔量占五种原料总摩尔量的0.5%~3%,氧化镱摩尔量占五种原料总摩尔量的0.5%~3%。
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