[发明专利]一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制作方法、显示面板有效
| 申请号： | 201110076083.9 | 申请日： | 2011-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN102655165A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 刘晓娣;孙力;陈海晶 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36;H01L29/04;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制作方法、显示面板，涉及薄膜晶体管及显示面板的设计和制备领域，用以降低源漏极的寄生电阻。所述非晶氧化物薄膜晶体管，在基板上包括：栅极、栅绝缘层、半导体有源层、源极、漏极以及钝化保护层，并且所述半导体有源层为沟道层和欧姆接触层的双层结构，所述沟道层比所述欧姆接触层的含氧量高；另外，所述沟道层与所述栅绝缘层相贴合，所述欧姆接触层分为两个独立的欧姆接触区，且所述两个独立的欧姆接触区分别与所述源极、漏极相贴合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 薄膜晶体管 及其 制作方法 显示 面板 | ||
【主权项】：
一种非晶氧化物薄膜晶体管，包括：栅极、栅绝缘层、半导体有源层、源极、漏极以及钝化保护层，其特征在于，所述半导体有源层为沟道层和欧姆接触层的双层结构，且所述沟道层比所述欧姆接触层的含氧量高；所述沟道层与所述栅绝缘层相贴合，所述欧姆接触层分为两个独立的欧姆接触区，且所述两个独立的欧姆接触区分别与所述源极、漏极相贴合。
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